pn结反向饱和电流是漂移还是扩散?

pn结反向饱和电流主要由少数载流子的漂移运动形成。在反向偏置下，耗尽层变宽，少数载流子（如p区的电子和n区的空穴）被电场拉向对方区域，形成漂移电流。同时，少数载流子的扩散也会贡献部分电流，但占比很小。温度升高时，反向饱和电流会显著增加，因为热激发产生的载流子数量增多。

反向饱和电流的特性

反向饱和电流的大小与pn结的材料和温度有关，与反向电压几乎无关。硅pn结的反向饱和电流比锗的小很多，因为硅的禁带宽度更大。实际应用中，反向饱和电流会导致电路漏电，影响器件性能。在高频电路中，反向饱和电流还会增加功耗，需要通过优化材料和结构来减小其影响。