电子隧穿效应多少纳米?

电子隧穿效应发生在原子尺度，距离通常小于1纳米。在扫描隧道显微镜中，探针与样品间距控制在0.3到1纳米之间，电子才能穿过间隙。量子力学允许电子穿越比自身波长还窄的势垒，这种现象在纳米器件中很常见。例如，闪存芯片的浮栅厚度仅5到10纳米，电子通过隧穿效应写入数据。

隧穿效应的应用

隧穿效应是现代电子技术的基础。隧道二极管利用电子隧穿实现高速开关，响应时间达皮秒级。量子计算中的超导约瑟夫森结，势垒厚度约1纳米，电子隧穿产生量子比特。手机芯片的晶体管栅极尺寸已缩小到3纳米以下，依赖隧穿效应控制电流。未来1纳米以下芯片将更依赖量子隧穿现象。