中国什么时候能突破光刻机技术?

中国光刻机技术正在快速进步，上海微电子已研发出28纳米光刻机，目标3年内实现14纳米突破。国家投入千亿资金支持，华为、中芯国际等企业联合攻关。荷兰ASML的EUV光刻机技术封锁严格，但中国已掌握部分核心零件自主生产。预计5年内中国光刻机可满足国内大部分芯片制造需求，10年内达到国际先进水平。

技术挑战与进展

光刻机需要10万个精密零件，德国蔡司镜头是最大难点。中国已攻克双工件台技术，光源系统研发取得突破。清华大学团队研发的深紫外光刻机已通过测试，良品率达90%。人才短缺问题逐步缓解，国内高校每年培养5000名相关工程师。日本、美国对中国技术封锁加剧，反而加速了国产替代进程。