干法刻蚀与湿法刻蚀的区别是什么?

干法刻蚀利用等离子体或反应气体在真空环境中进行材料去除，适合高精度加工；湿法刻蚀通过化学溶液溶解材料，操作简单但精度较低。

区别

干法刻蚀：使用等离子体或气体反应，在真空环境下进行，能实现纳米级精度，适合复杂图形加工，成本较高，适合集成电路等高精度领域。设备需要维护，刻蚀速率较慢，但能处理多种材料。

湿法刻蚀：将晶片浸入化学溶液中，通过化学反应去除材料，操作简单，成本低，适合批量生产，但精度较差，容易造成侧向腐蚀，适合对精度要求不高的场景，如玻璃或金属加工。