蚀刻和光刻的区别?

蚀刻和光刻都是制造微电子器件的技术，但原理不同。蚀刻通过化学溶液或等离子体去除材料，形成图案；光刻则利用光敏胶和光掩模，通过曝光显影将电路图案转移到基板上。蚀刻适合简单结构，光刻能实现高精度复杂图形。

区别

蚀刻：用化学方法或等离子体腐蚀材料，去除不需要的部分。工艺简单，成本低，适合制作较大尺寸的图案。精度较低，约几微米，常用于金属、玻璃等材料的加工。步骤少，速度快，适合批量生产简单器件。

光刻：通过光掩模和紫外光将电路图案转移到光刻胶上，再显影形成图形。精度极高，可达纳米级，是芯片制造的核心技术。步骤复杂，包括涂胶、曝光、显影、刻蚀等，成本高，适合制作微小精细的集成电路。