直接带隙和间接带隙有什么区别?

直接带隙半导体导带底和价带顶在动量空间中位置相同，电子跃迁无需改变动量，发光效率高；间接带隙半导体导带底和价带顶动量不同，电子跃迁需借助声子辅助，发光效率低。

区别

直接带隙：电子从价带跃迁到导带时不需要改变动量，光子能量直接对应带隙大小，材料发光效率高，适合制作发光器件，如发光二极管。常见材料有砷化镓、氮化镓。

间接带隙：电子跃迁需同时吸收或释放声子以匹配动量变化，能量损失大，发光效率低，多用于太阳能电池或晶体管，如硅、锗。这类材料对光的吸收较弱，但电学性能稳定。