潘宁离子源与霍尔离子源区别?

潘宁离子源和霍尔离子源都是等离子体发生装置，但工作原理和应用场景不同。潘宁离子源利用磁场和电场约束电子，产生高密度等离子体；霍尔离子源则依靠电子在磁场中的回旋运动增强电离效率。前者适合精密加工，后者常用于工业镀膜。

区别

潘宁离子源：采用轴向磁场和径向电场组合，电子在磁场中做螺旋运动，延长电离路径，等离子体密度高。结构紧凑，能耗较低，适合小尺寸设备。典型应用包括半导体刻蚀和材料分析，等离子体稳定性好，但磁场调节复杂。

霍尔离子源：利用电子在垂直磁场中的霍尔效应，电子与中性粒子碰撞概率高，电离效率强。结构简单，功率范围大，适合大面积处理。常见于镀膜和表面改性，但等离子体均匀性较差，磁场强度要求高。