正负光刻胶的区别及特性?

正光刻胶和负光刻胶是光刻技术中的两种关键材料，主要区别在于曝光后的反应。正光刻胶曝光后区域会被溶解，负光刻胶曝光后区域会固化。正光刻胶分辨率高，适合精细图形；负光刻胶粘附性强，适合简单图形。

区别

正光刻胶：曝光后化学键断裂，显影时溶解，形成与掩模版相反的图形。分辨率可达纳米级，适合制造集成电路等高精度器件。缺点是成本较高，工艺控制严格。常见类型有g线、i线光刻胶，用于5-10微米工艺。

负光刻胶：曝光后交联反应，显影时未曝光区域溶解，形成与掩模版相同的图形。粘附性好，成本低，适合简单图形制作。缺点是分辨率较低，边缘易膨胀。常用在印刷电路板、MEMS等对精度要求不高的领域。