迁移率和什么散射有关?

迁移率与电子或载流子在电场作用下的运动能力有关，主要受散射过程影响。散射包括晶格振动（声子散射）、杂质散射、缺陷散射等，这些散射会阻碍载流子的定向运动，降低迁移率。温度、材料纯度和晶体结构等因素会影响散射强度，从而改变迁移率大小。

区别

声子散射：由晶格热振动引起，温度越高，声子数量越多，散射越强，迁移率随温度升高而降低。在半导体中，这是高温下主要的散射机制，直接影响器件的高温性能。

杂质散射：由材料中的杂质离子或缺陷引起，杂质浓度越高，散射概率越大，迁移率显著下降。低温下杂质散射占主导，通过提高材料纯度可减少此类散射，提升迁移率。