碳化硅导电性和绝缘性有什么区别呢?

碳化硅的导电性和绝缘性主要取决于其晶体结构和使用环境。纯碳化硅晶体在高温下表现出半导体特性，导电能力随温度升高而增强；而掺杂特定元素后，可形成绝缘体，阻断电流流动。这种双性能使其在电力电子和高温设备中广泛应用。

区别

导电性碳化硅：通过掺杂氮或磷等元素，形成n型半导体，电子在晶格中自由移动，电阻率低至0.001欧姆·米，适合制造高频器件和功率模块，能承受1500伏以上电压，工作温度可达600摄氏度以上。

绝缘性碳化硅：掺杂铝或硼等元素后，形成p型半导体，电子被束缚在原子周围，电阻率高达10万欧姆·米以上，常用于高温绝缘涂层或基板，防止电流泄漏，耐腐蚀性强，寿命比传统陶瓷长3倍以上。