刻蚀工艺和光刻工艺的目标区别?

刻蚀工艺和光刻工艺的目标不同。光刻工艺是在晶圆表面通过光刻胶形成精确图形，为后续加工提供模板；刻蚀工艺则是利用物理或化学方法，去除特定区域的材料，形成实际结构。

区别

光刻工艺：目标是在晶圆表面转移设计图形，通过曝光和显影步骤，在光刻胶上形成所需图案。这一步类似“画蓝图”，决定了后续结构的形状和位置，但并不直接改变材料本身。光刻精度可达纳米级别，是集成电路制造中的关键步骤。

刻蚀工艺：目标是通过去除材料，将光刻形成的图形转移到晶圆上。这一步类似“雕刻”，根据光刻胶的掩模，选择性地蚀刻硅、二氧化硅等材料，形成沟槽、孔洞或凸起结构。刻蚀深度从几纳米到几十微米不等，直接影响器件的最终性能。