刻蚀机和光刻机有什么区别吗?

刻蚀机和光刻机都是半导体制造中的关键设备，但功能不同。刻蚀机用于去除材料，形成电路图案；光刻机则通过曝光将电路图案转移到晶圆上。

区别

刻蚀机：主要作用是“雕刻”，用化学或物理方法去除不需要的材料，留下精确的电路结构。刻蚀精度可达几纳米，每小时可处理数百片晶圆。它分为干法刻蚀（等离子体）和湿法刻蚀（化学液体），干法更精细，适合先进工艺。刻蚀后需检查线条是否均匀，避免过度或不足。

光刻机：核心是“印刷”，通过紫外光或极紫外光将掩模版上的电路图案投射到晶圆上，形成光刻胶图形。光刻机精度更高，最先进的EUV光刻机能实现7纳米以下工艺。一台设备价值上亿元，每小时处理量约60片。光刻胶曝光后需显影、烘烤，步骤复杂，直接影响芯片性能。