台积电工艺跟三星有什么区别?

台积电和三星的芯片工艺在技术路线和市场定位上有明显差异。台积电专注于晶体管堆叠和先进封装，三星则更侧重晶体管结构创新。台积电的良率和稳定性更高，适合大规模量产；三星的3D堆叠技术更激进，但风险较大。两者在5纳米及以下工艺的竞争中各有优势，台积电在客户覆盖面领先，三星在存储和逻辑集成上表现突出。

区别

台积电：台积电采用多桥电晶体结构，通过堆叠晶体管提升性能，同时优化光刻工艺提高良率。其技术迭代稳定，7纳米到3纳米的每代升级都保持领先。客户包括苹果、英伟达等大厂，订单量占全球高端芯片市场的60以上。台积电的封装技术如CoWoS能大幅提升芯片集成度，适合高性能计算和AI芯片。

三星：三星使用环绕栅极晶体管结构，通过改变电流路径实现更高能效。其3D堆叠技术更激进，但初期良率较低，成本控制难度大。三星擅长将存储芯片与逻辑芯片集成，适合移动处理器和内存产品。客户包括高通、自家手机部门，但在高端工艺的稳定性和量产能力上稍逊于台积电。