场效应晶体管与其它晶体管的区别?

场效应晶体管（FET）与其它晶体管（如双极结型晶体管BJT）的主要区别在于控制方式和结构。FET依靠电场控制电流，输入阻抗高，功耗低；BJT则通过电流控制电流，输入阻抗低，驱动能力强。FET适合高频和低功耗场景，BJT更适合大电流放大。

区别

场效应晶体管：FET是电压控制器件，栅极电压改变导电沟道的宽度来调节电流。它有3个电极：源极、漏极和栅极，工作时几乎不消耗栅极电流，因此功耗极低。常见类型包括MOSFET和JFET，开关速度快，适合集成电路和数字电路应用。

双极结型晶体管：BJT是电流控制器件，通过基极电流控制集电极电流。它有发射极、基极和集电极3个电极，电流放大倍数可达几十到几百倍。BJT导通压降低，驱动能力强，常用于模拟电路和功率放大，但功耗较高，开关速度不如FET。