霍尔效应n型和p型有什么区别?

霍尔效应中，n型和p型的区别主要载流子类型不同。n型半导体电子为多数载流子，p型半导体空穴为多数载流子。在外加磁场作用下，n型材料电子偏转产生负电压，p型材料空穴偏转产生正电压。这种差异导致霍尔电压极性相反，可用于区分半导体类型。

区别

n型半导体：以电子为多数载流子，导电能力强。电子带负电，在磁场中向一侧偏转，形成负的霍尔电压。常见掺杂元素有磷、砷等五价元素，每掺入一个原子提供一个自由电子。电子迁移率较高，适合制作高速电子器件，如计算机芯片中的晶体管。

p型半导体：以空穴为多数载流子，导电能力相对较弱。空穴带正电，在磁场中向另一侧偏转，形成正的霍尔电压。掺杂元素多为硼、铝等三价元素，每掺入一个原子产生一个空穴。空穴迁移率较低，但与n型结合可形成p-n结，广泛用于二极管、太阳能电池等器件。