霍尔效应中p型和n型的区别?

霍尔效应中，p型和n型半导体在外加磁场下电荷移动方向相反。p型以空穴为主，n型以电子为主，导致霍尔电压极性不同。

区别

p型半导体：主要载流子是空穴，相当于正电荷移动。当磁场垂直通过时，空穴向一侧偏转，产生正霍尔电压。空穴浓度受掺杂元素影响，如硼原子替代硅原子形成空穴。导电能力依赖空穴数量，温度升高时导电性先升后降。

n型半导体：主要载流子是自由电子，带负电荷。磁场作用下电子向另一侧偏转，产生负霍尔电压。掺杂元素如磷原子提供多余电子，电子数量决定导电性。温度变化时，导电性随温度升高而增强，电子迁移率较高。