理想半导体和实际半导体的区别?

理想半导体在绝对零度时没有自由电子，导电性完全由温度控制；实际半导体在室温下已有少量自由电子，杂质和缺陷会影响其性能。

区别

理想半导体：理论模型，纯净无杂质，电子跃迁能带清晰，载流子数量严格遵循温度变化，没有散射现象，导电性稳定可预测。

实际半导体：含有微量杂质和晶体缺陷，载流子数量受掺杂浓度影响，电子运动时发生散射，导电性波动较大，温度和光照会显著改变其特性。