mos管增强型和耗尽型的区别?

MOS管增强型和耗尽型的核心区别在于导电机制和工作状态。增强型MOS管在零栅压时不导电，需施加足够栅压才形成导电沟道；耗尽型MOS管在零栅压时已存在导电沟道，施加反向栅压才会关闭。

区别

增强型MOS管：属于常闭器件，初始状态无电流流通。通过给栅极施加正向电压（如N沟道需正电压），吸引电子形成沟道，电流随电压增大而增强。常见于开关电路和数字逻辑电路，控制信号需达到阈值电压（通常2-5伏）才导通，适合需要精确控制的场景。

耗尽型MOS管：属于常开器件，零栅压时已存在原始沟道。施加反向电压（如N沟道需负电压）会耗尽载流子，使沟道变窄直至截止。其导通电阻更低，线性范围更宽，常用于放大电路和模拟信号处理，无需额外偏置电压即可工作，简化了电路设计。