igbt管和场效应管的区别及用途?

IGBT管和场效应管都是电力电子器件，但工作原理和应用场景不同。IGBT结合了MOSFET的高输入阻抗和BJT的大电流能力，适合高压大功率场景；场效应管以电压控制电流，开关速度快，多用于中低压高频电路。

区别

IGBT管：由绝缘栅和双极型晶体管组成，输入阻抗高，导通压降低，能承受数千伏电压和数百安培电流。常用于工业变频器、电动汽车逆变器、大功率电源等场景，处理功率从几千瓦到兆瓦级。开关速度较慢，适合工频或中频应用。

场效应管：依赖电场效应控制电流，驱动简单，开关速度快，可达MHz级别。耐压和电流能力较弱，一般用于几百伏和几十安培场景。常见于开关电源、电机驱动、小功率电子设备，如手机充电器、LED驱动等。