湿法刻蚀与干法刻蚀有什么不同?

湿法刻蚀是用化学液体腐蚀材料，像用酸洗掉金属表面的锈；干法刻蚀是用等离子体或离子束轰击材料，像用细砂打磨物体表面。前者成本低但精度差，后者精度高但设备贵。

区别

湿法刻蚀：将芯片浸泡在化学溶液中，溶液会溶解不需要的部分。这种方法操作简单，适合大面积加工，但容易造成侧向腐蚀，边缘不够整齐。比如用氢氟酸刻蚀二氧化硅，速度很快，但会把材料上下同时腐蚀，导致精度下降。

干法刻蚀：在高真空腔体中，用等离子体或离子束定向轰击材料表面。这种方法像用激光雕刻，可以精确控制刻蚀方向，边缘清晰，适合精细电路。但设备复杂，维护成本高，比如反应离子刻蚀机每小时能耗相当于10台家用空调。