碳化硅衬底与碳化硅外延片区别?

碳化硅衬底是基础材料，像房子的地基；碳化硅外延片是在衬底上生长的一层薄膜，像地基上的墙体。衬底提供支撑，外延层负责器件功能。两者结合才能制造出高性能的半导体器件。

区别

碳化硅衬底：是整块的材料，经过切割和抛光后形成平坦的基板。它的主要作用是承载外延层，确保器件结构稳定。衬底的纯度和缺陷密度直接影响外延质量，价格较高，生产工艺复杂，需要高温环境制备。

碳化硅外延片：是在衬底表面生长的一层薄晶体，厚度通常为几微米到几百微米。外延层的电学性能和晶体质量决定了器件的最终表现，如耐压能力和开关效率。生长过程需要精确控制温度和气体流量，技术难度大，成本也较高。