n型单晶硅和p型单晶硅的区别?

n型单晶硅和p型单晶硅是半导体材料的主要类型，区别在于掺杂元素不同。n型掺磷等五价元素，多出自由电子；p型掺硼等三价元素，多出空穴。电子带负电，空穴带正电，因此导电类型相反。两者结合可形成pn结，用于制造二极管、晶体管等器件。

区别

n型单晶硅：掺入磷元素后，每个磷原子多提供一个自由电子，导电靠电子移动。电子数量多，电阻较低，适合制造高速器件。常见于集成电路的N沟道场效应管，或作为太阳能电池的发射极。电子流动方向与电流方向相反。

p型单晶硅：掺入硼元素后，每个硼原子少一个电子，形成空穴。导电靠空穴移动，空穴可视为带正电的粒子。空穴数量决定导电能力，电阻略高于n型。常用于制造P沟道器件或太阳能电池的基极，空穴流动方向与电流方向相同。