干法刻蚀与湿法腐蚀有什么区别?

干法刻蚀利用等离子体或离子束在高真空环境下进行材料去除，精度高，适合微细加工；湿法腐蚀则通过化学液体溶解材料，操作简单，成本低，适合大面积处理。

区别

干法刻蚀：使用等离子体或离子束轰击材料表面，实现原子级别的精确刻蚀。可以加工复杂图形，深宽比大，适用于半导体和微电子领域。设备昂贵，需要真空环境，但污染少，刻蚀速率快。适合高精度、小尺寸的加工需求。

湿法腐蚀：将材料浸泡在化学溶液中，通过化学反应去除不需要的部分。操作简单，设备成本低，适合批量处理。但精度较低，侧向腐蚀严重，难以控制微小结构。常用于硅片减薄、金属表面处理等对精度要求不高的场景。