半导体激光器脊波导和掩埋异质结的区别?

半导体激光器脊波导和掩埋异质结是两种不同的结构设计。脊波导通过在激光器表面刻蚀脊形结构来限制光和电流，而掩埋异质结则将有源层埋入不同材料中，实现更好的载流子限制。前者工艺简单，但散热和光限制较差；后者性能优越，但制造复杂。

区别

脊波导：脊波导在激光器表面形成凸起结构，通过几何形状限制光场和电流路径。这种结构制作工艺简单，适合大规模生产，但光限制效果较弱，容易导致侧模不稳定。散热能力也较差，高功率工作时温度升高明显。成本较低，适合对性能要求不高的应用场景。

掩埋异质结：掩埋异质结将有源层完全包覆在禁带宽度更大的材料中，形成类似三明治的结构。这种结构能高效限制载流子和光场，激光模式稳定，散热性能更好。制造工艺复杂，需要多次外延和刻蚀，成本较高。适合高功率、高稳定性的应用，如光纤通信和工业加工。