碳化硅衬底p级和d级的区别?

碳化硅衬底的p级和d级主要区别在于导电类型和应用场景。p级是正型掺杂，空穴导电，常用于二极管等器件；d级是负型掺杂，电子导电，多用于MOSFET等功率器件。

区别

p级：通过铝等元素掺杂形成，空穴为主要载流子，电阻率较高，适合制作需要正向导通的器件，如肖特基二极管。其掺杂浓度较低，耐压能力较强，但导电效率相对较低。

d级：通过氮等元素掺杂形成，电子为主要载流子，电阻率较低，适合制作高频、高功率的开关器件，如MOSFET。其掺杂浓度较高，导电效率好，但耐压能力略低于p级。