均匀形核和非均匀形核的过冷度区别?

均匀形核需要较大的过冷度，而非均匀形核所需的过冷度较小。均匀形核发生在纯净液体内部，依赖自发形成晶核；非均匀形核则在杂质或容器壁等异质界面进行，形核能垒低，更容易发生。

区别

均匀形核：在理想纯净的液体中，原子随机聚集形成晶核。由于没有现成界面，形核需要原子克服较高能垒，因此过冷度需达到几十甚至上百摄氏度才能有效形核。这种形核方式对材料纯度要求极高，实际生产中较少单独出现。

非均匀形核：借助杂质、气泡或模具表面等异质界面进行。界面降低形核能垒，原子只需较小过冷度（几到十几摄氏度）即可附着并生长。工业中大多数形核过程属于此类，效率高且成本低，常见于金属铸造和结晶工艺。