通态压降和饱和压降区别?

通态压降和饱和压降都是半导体器件中的电压参数，但发生场景不同。通态压降指器件导通后稳定状态下的电压降，饱和压降则指器件进入深度饱和时的最低电压降。前者反映导通损耗，后者体现完全导通时的效率。

区别

通态压降：指器件导通后，电流稳定通过时的电压值。这个电压降由器件内部电阻决定，数值一般在0.5到2伏之间。导通电流越大，压降会略有上升。这个参数直接影响器件的发热和功耗，是设计电路时需要重点考虑的指标。

饱和压降：指器件完全导通后，达到电流饱和状态时的最低电压值。此时器件处于深度导通，内阻极小，压降通常比通态压降低，可能只有0.1到0.5伏。这个状态出现在开关频率较高或驱动电流充足的场合，能显著降低器件损耗。