外延和衬底有什么区别?

外延和衬底是半导体制造中的两个关键部分。外延是在衬底表面生长的一层薄晶体，具有特定的电学性质；衬底则是支撑外延的基础材料，通常为硅或蓝宝石。两者结合形成器件结构，但功能不同。

区别

外延：外延层通过化学气相沉积等方法在衬底上生长，厚度仅有几微米到几百微米。它的成分和掺杂浓度可以精确控制，用于制造二极管、晶体管等有源器件。外延层的质量直接影响器件性能，比如电子迁移率和击穿电压。

衬底：衬底是整个结构的基体，提供机械支撑和热导性。常见材料包括硅、碳化硅或蓝宝石，厚度可达数百微米。衬底本身不参与电学功能，但需具备高纯度和低缺陷密度，避免影响外延层的质量。