igbt与晶体管的区别?

IGBT（绝缘栅双极型晶体管）结合了MOSFET和晶体管的优点，适合高压大电流场景，而晶体管（如BJT）主要用于小信号放大或开关控制。

区别

IGBT：由MOS栅极和双极型器件组成，输入阻抗高、驱动简单，耐压可达6500伏以上，电流承载能力强，常用于变频器、新能源汽车等大功率设备。开关速度中等，导通压降较低，适合高频高效场景。

晶体管：分为NPN和PNP型，电流控制器件，需较大基极电流驱动，耐压和电流承载能力较弱，多用于小功率电路如音频放大、开关电源。响应速度快，但功耗较高，适合低电压精密控制。