霍尔效应与磁电阻效应的区别?

霍尔效应是电流在磁场中偏转产生电压的现象，磁电阻效应是电阻随磁场变化的现象。两者都与磁场和电流有关，但表现不同。霍尔效应测量垂直电压，磁电阻效应关注电阻变化。前者用于磁场检测，后者用于高灵敏度传感器。

区别

霍尔效应：当电流通过导体时，垂直磁场会使电子偏转，导致导体两侧出现电压差。这个电压与磁场强度成正比，常用于测量磁场方向和强度。设备结构简单，响应速度快，适合实时监测。典型应用包括电流传感器和转速检测，精度高但受温度影响较大。

磁电阻效应：材料在磁场中电阻发生变化，分为各向异性磁电阻和巨磁电阻两种类型。前者电阻变化较小，后者变化可达数倍。磁电阻效应灵敏度更高，适合微小磁场检测。硬盘读写头和磁传感器常用此原理，抗干扰能力强，但需要精密控制温度和电流。