光刻机5纳米和3纳米工艺区别是什么?

5纳米和3纳米光刻工艺的区别在于晶体管密度和性能提升。3纳米工艺采用更先进的技术，晶体管数量比5纳米增加约20%，功耗降低约30%，运行速度提升约15%。

区别

5纳米工艺：采用多重曝光技术，晶体管间距较大，芯片面积相对较大，功耗较高，适合高性能计算和手机处理器。生产成本较低，良品率较高，适合大规模量产。

3纳米工艺：采用GAA晶体管结构，电流控制更精准，能效比更高。晶体管密度大幅提升，芯片体积缩小，散热性能更好。适用于高端芯片，如服务器处理器和AI芯片，但生产成本极高，技术难度大。