直接和间接带隙半导体的区别?

直接带隙半导体导带底和价带顶在能量空间中位置相同，电子跃迁无需声子参与，发光效率高；间接带隙半导体导带底和价带顶位置不同，电子跃迁需声子辅助，发光效率低。

区别

直接带隙半导体：电子从价带跃迁到导带时，动量几乎不变，无需额外能量，光子直接释放能量，发光效率可达80以上。常见材料有砷化镓、氮化镓，广泛应用于激光二极管、LED等光电器件，响应速度快，适合高速通信和照明。

间接带隙半导体：电子跃迁需改变动量，需借助声子传递能量，光子间接释放能量，发光效率不足10。典型材料有硅、锗，多用于集成电路和太阳能电池，因发光弱，不适合光电器件，但成本低、工艺成熟。