干法刻蚀和湿法刻蚀的区别?

干法刻蚀使用等离子体或气体反应物去除材料，湿法刻蚀则用化学液体溶解材料。干法刻蚀精度高，适合复杂图形；湿法刻蚀成本低，适合大面积处理。前者速度快，后者操作简单。

区别

干法刻蚀：通过等离子体或气体反应物进行物理或化学刻蚀，精度可达纳米级，适合精细电路和高深宽比结构。设备复杂，成本高，但刻蚀均匀性好，损伤较小。适用于半导体、微机电系统等领域。

湿法刻蚀：利用化学溶液溶解材料，操作简单，成本低廉，适合大面积均匀刻蚀。刻蚀速率较快，但精度较低，侧向腐蚀明显，难以控制复杂图形。常用于硅、玻璃等材料的初步加工。