场效应管和igbt管有什么区别?

场效应管和IGBT管都是常用的半导体开关器件，但结构和用途不同。场效应管依靠电压控制电流，开关速度快，适合小功率场景；IGBT结合了场效应管和三极管的优点，能处理大电流，常用于工业设备如变频器和电动汽车。

区别

场效应管：它是电压控制型器件，输入阻抗高，驱动简单，开关速度快，适合高频小功率场合，比如手机充电器、小型电机控制。它的导通电阻较小，但耐压和电流能力有限，一般用于几百伏特和几十安培以下。

IGBT管：它是电流与电压混合控制型器件，结合了场效应管的开关速度和三极管的导通能力，耐压可达几千伏特，电流几百安培，适合大功率场景，如电焊机、风力发电设备。它的开关速度较慢，但能承受更高电压和电流，成本也更高。