碳化硅晶圆片从什么时候开始有了碳面和硅面的区别?

碳化硅晶圆片在制造过程中自然形成碳面和硅面的区别，这种差异源于晶体生长时的结构特性。碳面靠近生长炉的石墨部件，碳原子浓度较高；硅面则暴露在硅源环境中，硅原子更丰富。这种区别在1990年代后期随着碳化硅材料研究的深入逐渐被明确，成为后续工艺的重要考量因素。

区别

碳面：碳面富含碳原子，表面较为粗糙，硬度较高，适合作为外延生长的衬底。碳面的化学稳定性强，但在高温下容易与氧气反应形成氧化层，影响器件性能。碳面的加工难度较大，需要特殊的抛光技术，成本较高，常用于高压、高功率器件的制造。

硅面：硅面硅原子浓度高，表面更光滑，导电性较好，适合制造高频器件。硅面的氧化层质量优于碳面，有利于形成稳定的界面，因此在MOSFET等器件中更常用。硅面的加工相对容易，成本较低，但机械强度稍弱，需谨慎处理以避免损伤。