半导体的衬底和外延的区别?

半导体衬底是制造芯片的基础材料，提供机械支撑和导电性能；外延是在衬底上生长的一层薄半导体薄膜，用于优化器件的电学特性。衬底通常较厚，外延层极薄，二者结合实现高性能芯片功能。

区别

半导体衬底：作为芯片的“地基”，衬底多为硅、蓝宝石等材料，厚度可达几百微米。它负责承载整个器件结构，提供稳定物理平台，同时影响散热和导电性能。衬底质量直接影响芯片良率，需高纯度和低缺陷密度。

外延层：在衬底表面生长的“功能层”，厚度仅几微米。通过精确控制成分和结构，外延层可优化器件的电子迁移率、击穿电压等参数。外延技术如分子束外延，能实现原子级精度，是提升芯片性能的关键步骤。