igbt模块和可控硅的区别?

IGBT模块和可控硅都是电力电子器件，但功能不同。IGBT模块适合高频开关控制，如变频器；可控硅主要用于大电流开关，如调压设备。

区别

IGBT模块：由绝缘栅双极晶体管组成，开关速度快，适合高频应用。控制电压低，驱动简单，损耗小。常见于电机驱动、新能源逆变器，工作频率可达20千赫以上。体积小，散热效率高，适合紧凑设计。

可控硅：属于半控型器件，只能开通不能自行关断。耐压高，电流大，适合低频大功率场景。如电炉调压、直流调速，工作频率通常低于1千赫。结构简单，抗干扰强，但开关速度慢，需要强制关断电路。