光刻和刻蚀的区别?

光刻和刻蚀都是半导体制造中的关键工艺。光刻通过光敏材料转移电路图案，刻蚀则移除特定区域材料形成结构。两者配合完成芯片微细加工。

区别

光刻：使用光胶和掩模版，通过紫外线曝光将电路图案转移到晶圆表面。光刻决定图形位置，精度达纳米级，是芯片制造的“照相”步骤。一次光刻可定义多个图形，需要严格控制曝光时间。

刻蚀：分为干法刻蚀和湿法刻蚀，前者用等离子体气体，后者用化学液体。刻蚀移除未被光刻胶保护的区域，形成凹槽或孔洞。刻蚀深度从几纳米到几十微米不等，直接影响芯片三维结构精度。