掺杂半导体和本征半导体的区别?

掺杂半导体是通过在纯半导体中添加少量杂质元素形成的，具有特定的导电性能；本征半导体则是纯净的半导体材料，导电能力较弱，受温度影响较大。

区别

掺杂半导体：在纯硅或锗中掺入磷或硼等杂质，形成N型或P型半导体。自由电子或空穴数量大幅增加，导电能力提升10到100倍。常用于制造二极管、晶体管等电子元件，导电性能稳定，适合实际应用。

本征半导体：不含任何杂质的纯净半导体材料，如高纯度硅。电子和空穴数量相等，导电能力依赖热激发，温度每升高10度，导电性增加1倍左右。主要用于理论研究或作为制造掺杂半导体的基础材料。