自激振荡和温度漂移区别?

自激振荡是电路在没有外部信号输入时，自身产生持续振荡的现象；温度漂移则是电路参数随温度变化而偏离原设计值的现象。前者涉及能量反馈和频率稳定，后者关注环境变化对性能的影响。

区别

自激振荡：电路内部正反馈导致输出信号持续振荡，频率由元件参数决定，常见于振荡器设计。振荡幅度受电源电压和元件非线性限制，启动条件需满足环路增益大于1。温度变化会影响振荡频率稳定度，但振荡机制不依赖温度。

温度漂移：半导体器件参数随温度变化，导致放大器增益、偏置点等偏离初始值。漂移量每摄氏度可达几毫伏至几十毫伏，需通过温度补偿或选用低温漂元件抑制。电路静态特性受温度影响，与是否振荡无关。