多层外延工艺和沟槽工艺区别是什么?

多层外延工艺和沟槽工艺都是半导体制造中的关键技术，但应用场景不同。多层外延工艺通过逐层沉积材料构建多层结构，适合制造高性能器件；沟槽工艺则是在硅片上刻蚀深槽，用于隔离电路或形成电容。前者注重材料叠加，后者侧重物理结构塑造。

区别

多层外延工艺：在硅片表面多次沉积不同材料层，每层厚度精确控制。工艺步骤包括清洗、沉积、掺杂等，层数可达10层以上。常用于制造晶体管、激光器等需要多层材料协同工作的器件。设备依赖外延炉，成本较高，但能实现纳米级精度。

沟槽工艺：通过刻蚀技术在硅片上形成深槽，深度可达几十微米。主要用于电路隔离或形成三维结构，如深槽电容。工艺包括光刻、干法刻蚀、填充等步骤，设备以刻蚀机为主。效率高，适合批量生产，但深宽比控制难度大。