干法蚀刻与湿法蚀刻的区别和联系?

干法蚀刻利用等离子体或离子束进行刻蚀，适用于高精度加工；湿法蚀刻使用化学溶液，操作简单成本低。两者都是半导体制造中的关键工艺，分别满足不同精度和材料需求。

区别

干法蚀刻：通过高能粒子轰击材料表面实现刻蚀，精度可达纳米级，适合复杂图形加工。设备昂贵，需要真空环境，对硅、金属等材料适用性强，但可能产生损伤层。工艺参数控制严格，适合大规模集成电路生产。

湿法蚀刻：依靠化学溶液溶解材料，成本低廉，操作简便。刻蚀速率快，适合批量处理，但精度较低，边缘容易不整齐。主要用于硅、玻璃等材料，对金属蚀刻效果有限，会产生废液处理问题。