正向光刻胶和负向光刻胶的区别?

正向光刻胶和负向光刻胶是光刻工艺中的两种关键材料，主要区别在于曝光后的反应不同。正向光刻胶曝光后会被显影液溶解，形成与掩膜版相反的图案；负向光刻胶曝光后则不溶解，形成与掩膜版相同的图案。

区别

正向光刻胶：曝光部分会被显影液去除，未曝光部分保留，适合制作精细线条和复杂图形。显影后图案与掩膜版相反，分辨率较高，常用于半导体制造中的细微电路。例如，在芯片生产中，它能刻画出几十纳米宽的线条。

负向光刻胶：曝光部分不溶解，未曝光部分被显影液去除，形成与掩膜版一致的图案。它对环境要求较低，成本也便宜，适合制作较粗的图形或需要厚度的场合。比如，在电路板制造中，它能快速形成较大的连接区域。