砷化镓和氮化镓有什么区别?

砷化镓和氮化镓都是半导体材料，但用途和性能不同。砷化镓主要用于高频通信和光伏领域，氮化镓则更多用于功率器件和LED照明。两者的晶体结构、带隙宽度和耐压能力也有明显差异。

区别

砷化镓：砷化镓的电子迁移率较高，适合制作高速电子器件，比如手机信号放大器。它的带隙宽度为1.4电子伏特，耐热性一般，工作温度通常不超过150摄氏度。砷化镓的成本较高，主要应用于卫星通信和激光器领域。

氮化镓：氮化镓的带隙宽度达到3.4电子伏特，耐压能力强，适合制造大功率器件，如充电适配器。它的耐热性更好，工作温度可达300摄氏度以上。氮化镓的生产成本较低，广泛用于LED照明和5G基站设备。