光刻机和刻蚀机有什么区别?

光刻机和刻蚀机都是半导体制造的关键设备，但功能不同。光刻机用于将电路图案转移到晶圆上，类似“印刷”；刻蚀机则负责去除多余材料，形成电路结构，类似“雕刻”。

区别

光刻机：通过紫外光或极紫外光将掩膜版上的电路图案精确投影到晶圆表面，涂有光刻胶的晶圆曝光后显影，留下所需图案。精度要求极高，先进制程可达5纳米以下。一台高端光刻机包含光源、镜头、对准系统等复杂部件，价格超过1亿元。

刻蚀机：利用物理或化学方法去除未被光刻胶保护的晶圆材料，形成沟槽或孔洞。分为干法（等离子体）和湿法（化学溶液）两种，干法刻蚀精度更高，能实现3D结构加工。刻蚀深度从几纳米到几十微米不等，直接影响芯片性能和良率。