步进式光刻机与接触式光刻机有什么区别?

步进式光刻机和接触式光刻机是两种不同的光刻技术，主要区别在于曝光方式和精度。接触式光刻机直接将掩模版紧贴晶圆曝光，适合小尺寸芯片；步进式光刻机通过分步重复曝光，能处理更大晶圆，精度更高，适合先进制程。

区别

接触式光刻机：掩模版直接压在晶圆表面曝光，像盖章一样。分辨率较低，约1微米，适合小批量生产。设备简单成本低，但容易损伤掩模版和晶圆，污染风险高。每次只能曝光一个小区域，效率较低。

步进式光刻机：掩模版与晶圆保持微小距离，通过移动和多次曝光拼接完整图形。分辨率可达0.25微米，适合大规模生产。保护掩模版和晶圆，减少污染，但设备复杂昂贵。能处理300毫米晶圆，效率高，适合高端芯片制造。