刻蚀机和光刻机的区别?

刻蚀机和光刻机都是半导体制造中的关键设备，但功能不同。光刻机用于将电路图案转移到晶圆表面，类似“拍照”过程；刻蚀机则负责去除多余材料，形成三维结构，类似“雕刻”过程。两者配合完成芯片的精细加工。

区别

光刻机：主要功能是通过曝光技术将设计好的电路图案精确转移到光刻胶上。设备精度极高，能处理纳米级线条，分辨率可达几纳米。一台高端光刻机价值数亿元，是芯片制造的“画笔”，决定电路的精细度。

刻蚀机：用于去除未被光刻胶保护的区域材料，形成凹槽或孔洞。分为干法（等离子体）和湿法（化学液体），干法刻蚀精度更高，适合复杂结构。刻蚀深度可控，误差在几纳米内，是芯片制造的“刻刀”，决定电路的立体结构。