p型和n型单晶硅片有什么区别呢?

p型单晶硅片和n型单晶硅片的主要区别在于掺杂元素不同。p型硅片掺入硼等三价元素，空穴为多数载流子；n型硅片掺入磷等五价元素，电子为多数载流子。这种差异导致两者在导电性和应用场景上有所不同。

区别

p型单晶硅片：掺入硼后，硅原子周围缺少一个电子，形成空穴。空穴带正电，成为主要导电载体。这种硅片电阻率较低，适合制作二极管、太阳能电池的发射极。在光伏领域，p型硅片占主流，工艺成熟，成本较低。其载流子迁移速度较慢，但稳定性好，适合长期使用。

n型单晶硅片：掺入磷后，多出一个自由电子，电子成为主要导电载体。电子带负电，导电效率更高。n型硅片少子寿命长，抗辐射能力强，适合制作高频器件和高效太阳能电池。近年来，n型硅片在光伏领域占比提升，尤其适用于PERC、TOPCon等高效电池技术，但生产成本略高。