时间:01-18人气:30作者:苁吥强留
多数载流子受温度影响较小,少数载流子受温度影响较大。
对比
多数载流子:在半导体中,多数载流子数量由掺杂浓度决定,温度变化对其影响不大。比如硅材料中,掺杂浓度达到每立方厘米10^16个原子时,温度从20度升高到100度,多数载流子数量仅增加10%左右。这是因为掺杂提供的载流子数量远超热激发产生的载流子,温度变化对总量的影响有限。
少数载流子:少数载流子数量主要依赖热激发,温度升高会显著增加其数量。同样从20度升到100度,少数载流子数量可能增加10倍以上。这是因为热激发产生的电子-空穴对数量随温度指数增长,而掺杂浓度不变,导致少数载流子比例大幅上升。温度每升高10度,少数载流子数量约翻一番。
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