igbt开关损耗和导通损耗哪个大?

在IGBT应用中，开关损耗通常大于导通损耗。开关损耗发生在IGBT从关断到导通或从导通到关断的瞬间，涉及电压和电流的重叠区域，高频工作时尤为明显。导通损耗则主要取决于IGBT的导通压降和负载电流，相对稳定。因此，在高频场景下，开关损耗是主要的热源，需要重点优化。

对比

开关损耗：开关损耗集中在IGBT切换状态的瞬间，每次开关都会产生能量损失。频率越高，开关次数越多，总损耗越大。例如，10kHz工作时，每秒产生1万次开关事件，每次损耗虽小，累积后可达数百瓦。设计时需优化驱动电路和缓冲电路，减少电压电流交叠时间。

导通损耗：导通损耗由IGBT的饱和压降和负载电流决定，电流越大，损耗越高。比如，100A电流下，压降2V时，导通损耗为200瓦。这种损耗相对稳定，受频率影响小，可通过选用低导通压降器件或优化散热系统来控制。